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(a) 광 레이저 펄스의 입력 (청색 음영) 및 판독 단 (황색 음영). 각각의 광학 상태는 100 ms의 지속 시간으로 MoS2 장치에 기록 되었고, 비트 들 사이의 간격은 또한 100 밀리초로 서, 적용 된 레이저 펄스의 수의 함수로 서 전류를 판독 하 여 8 개의 상이한 광학 상태 (3 비트)로 이어지는 것 이다. 플롯은 처음에 측정 된 시간에 관계 없이 10 초 간격으로 분리 되었습니다. (c) 1 초 동안 기록 된 상태에서 수집 된 판독 요금. 가장 적합 한 라인 (적색)은 각 광학 레이저 펄스에 대해 300 pC에 의해 전하가 증가 함을 나타냅니다. 여기서 τ1, τ2는 붕괴 과정의 시간 상수이 고, A1, A2는 조도 및 기타 장치 파라미터에 의해 결정 되는 상수이 고, Qss는 정상 상태의 판독 전 하 이다. 2 개의 특징적인 붕괴 시간 상수는 12.0 및 1309.7 s로 추정 되었다. 이러한 결과는 장치에서 발생 하는 두 가지 유형의 감쇄 프로세스가 있음을 명확히 나타냅니다. 제 1 붕괴 과정은 주로 계면에 갇혀 있는 전자와 함께 광 생성 된 구멍의 표면 재결합을 통해 연장 된 수명을 갖는 광 생성 전자 로부터 발생 한다. 이 효과는 주로 100 초까지 지속 되 고 그 시간 후에 완전히 사라집니다.

이는 전위에 저장 된 광 생성 전자가 제 1 붕괴 기간 동안 전극을 통해 빠져나갈 수 있고, 열 fluctuations31로 인 한 쇼트 키 장벽을 극복 하는 것으로 여겨진다. 지난 수십 년 동안 광 감지 응용 제품을 위한 중요 한 구성 요소 인 광전자 에너지를 전기 신호로 변환 하는 실리콘 기반 광학 장치 기능에 엄청난 성장이 있었습니다. 그러나 벌크 반도체를 사용 하 여 지속적으로 발전 한 것은 특히 소형화가 요구 되는 새로운 유연성, 웨어 러 블 및 투명 기술 개발에 관한 근본적인 물리적 한계에 도달할 것으로 예상 됩니다. 단층 전이 금속 dichalcogenides (TMDCs)는 최근에 그들의 벌크 대응 물에 비해 고유 하 고 전례 없는 전기 및 광학 properties1, 2, 3, 5 때문에 상당한 관심을 받았다. 예를 들어, MoS2는 광 발광 (PL) 효율과 강한 광 물질 interactions3의 극적인 향상을 동반 하는 단층 (∼ 0.7 nm)로 두께가 감소 될 때 간접에서 직접 밴드 갭으로의 전환을 거칩니다. 계층화 된 d-전자 materials8에서 발생 하는 양자 감 금으로 인해. 단 단층의이 매력적인 특징은 신규 한 유연 하 고 착용 할 수 있는 optoelectronics9, 10, 11 뿐만 아니라 새로운 전자 devices12, 13, 15에 대 한 유망한 소재입니다. 따라서, 다양 한 단층 MoS2 계 광 검출기가 높은 photoreponsivity16, 17, 18, 1920, 21로 우수한 광학 특성을 나타내는 것으로 나타났다. 그러나, MoS2 단층의 매우 큰 표면 대 부피 비율은 기본 기질 또는 물리 층 가스 분자의 결함과 같은 주변 환경에 특히 민감 하므로, 국부 적으로 인해 발생 하는 전자 트랩 사이트로 이어지는 잠재적 fluctuations22, 23, 25.